傳統的干壓成型方法已難以滿足進一步實用化和產業化的要求，比如Si3N4-SiC窯爐燒嘴屬于異型制品，只適宜采用澆注法成型，因此開發Si3N4-SiC澆注成型工藝具有很強的實用意義。

將粗、中、細顆粒的SiC及Si粉合理搭配，輔以一定的添加劑和結合劑，在鐘型混料機中充分混合，然后采用澆注成型，烘干后裝入大型氮化爐，在純凈的氮氣氣氛中燒成，使坯體里的Si生成 Si3N4，得到以Si3N4為結合相的SiC復合材料。

碳化硅很難燒結，其晶界能與表面能之比很高，不易獲得足夠的能量，形成晶界而燒結成塊體。碳化硅燒結時的擴散速度很低，其表面的氧化膜也起擴散勢壘作用。因此氮化硅結合碳化硅就是把Si3N4作為結合劑和助燒劑而得到致密的性能優異的Si3N4- SiC材料。

研究硅的氮化動力學時得知，在1400—1490℃，歷時2h 就可以使氮達到最大的飽和程度，并生成Si3N4。在較高的溫度下進行氮化時，將導致氮化硅部分分解；當溫度高于1600℃時，氮化硅的分解速度超過了它的生成速度，而在1820—1830℃時它完全分解。這樣，當溫度為1400—1480℃，在氮氣中對由SiC和Si粉混合物組成的多孔坯體進行燒結時，生成Si3N4，該化合物使SiC顆粒膠結起來，此時材料中保持了供氮擴散用的開口氣孔率大于15—19% )。在生成Si3N4結合劑的燒結反應過程中，碳化硅不參與反應。對Si－C－N系統平衡的研究表明，在該溫度下SiC不與氮及氮化硅發生反應。采用細顆粒硅時，可使結合劑中 Si3N4生成得更完全。制取Si3N4 結合的碳化硅材料需要專門的高溫加熱設備，以保證于1400—1500℃在純氮保護性介質中進行加熱，這涉及到較大的技術難題。

氮化反應是一種有氣相參加的放熱反應，根據此反應特點來確定最后適宜的氮化工藝參數 （氮化氣體的組成、壓力、升溫制度等）以獲得最佳的反應燒結Si3N4—SiC產品。對于氮化工藝，以前大都采用分階段升溫和超溫氮化（即最終的氮化溫度高于硅熔點）的溫度制度，氮化氣體則是流態的。每個階段所需的保溫時間，則隨SiC坯體的密度、硅顆粒的尺寸以及產品所要求的性能而定。

對當前使用的氮化硅結合碳化硅磚的使用情況和質量問題進行了調查分析。該類型磚損壞原因主要有裂紋、裂紋加爆皮、腐蝕變形、外力損壞等。裂紋是最主要的原因占95%；裂紋加爆皮占0.85%；腐蝕變形占3.3%；外力損壞占0.85%。經分析，導致以上損壞的原因主要是產品質量問題和使用不當，而產品質量不佳的主要因素是原料不良、制作不良、運輸不良、設計不良，與生產關系密切的是原料不良、制作不良、運輸不良、設計不良。

氮化硅結合碳化硅磚在生產實踐應用中產品存在結構變形、保溫性能差等諸多問題，采取合理的原材料配比和生產工藝能克服缺陷，生產出優質、經濟適用的氮化硅結合碳化硅磚，為環境優化、企業增效帶來幫助，增強綠色可持續發展的動力。